أجهزة الترانزستور والدوائر التي تعمل بالترانزستور

From the summary

الترانزستور ثنائي القطب وتكويناته

فئتان رئيستان: الترانزستور الوصلي ثنائي القطب (BJT) وترانزستور الأثر الحقلي (FET). مبدأ الترانزستور أعلنه باردين وبراتين عام 1948، والاسم اختصار «مقاوم النقل»: تيار كبير يُتحكم فيه بتيار أصغر. شوكلي طوّر البنية ثنائية القطب واقترح هيكل FET في العام نفسه، لكن فائدة FET في الدوائر المتكاملة ظهرت لاحقًا. BJT جهاز ثلاثي الأطراف، كل طرف بمنطقة مشوّبة في ترتيب NPN أو PNP. المناطق: باعث وقاعدة ومجمع. السهم على رمز الباعث اتجاه التيار الاصطلاحي. ترانزستورات NPN أشيع؛ رمز PNP يعكس السهم وتُعكس قطبية الإمداد. الرسم المتماثل نادر عمليًا: منطقة الباعث أصغر ماديًا وأعلى تركيز تشويب من المجمع. لأن للجهاز ثلاثة أطراف ولإشارة الدخل طرفين وللخرج طرفين، يكون طرف واحد مشتركًا. الأنماط الثلاثة: باعث مشترك، قاعدة مشتركة، مجمع مشترك (تابع باعث أو تابع جهد). الأشيع الباعث المشترك. خاصية الخرج تبيّن تغير IC مع VCE عند IB ثابت. في جزء كبير من منطقة العمل IC يتناسب مع IB، وهذه النسبة كسب التيار: $$\frac{I_C}{I_B} = h_{fe} = \beta$$

From the question bank

أي مصطلح يطابق الوصف الآتي: A three-terminal device using NPN or PNP semiconductor layers to control large currents with smaller ones.

• FET (Field-Effect Transistor)
• Doping
• BJT (Bipolar Junction Transistor)
• hfe (β)

More in this unit