ملخص المجال المغناطيسي الناشئ عن تيار كهربائي، الفيزياء

قانون بيو-سافار

• النفاذيّة المغناطيسيّة: قابلية الوسط لتدفُّق خطوط المجال المغناطيسيّ خلاله.
• $dB = \frac{\mu_0}{4\pi}\,\frac{I\,dL\,\sin\theta}{r^2}$

المجال المغناطيسيّ الناشئ عن موصلٍ يحملُ تيارًا كهربائيًّا

• $B = \frac{\mu_0 I}{2\pi r}$

المجال المغناطيسيّ الناشئ عن ملف دائري

• $B = \frac{\mu_0 I N}{2R}$

المجال الناشئُ عن ملفٍّ لولبيّ يحملُ تيارًا كهربائيًّا

• المِلفُّ اللولبيّ: سلكٌ موصلٌ ملفوفٌ في حلقاتٍ دائريّةٍ مُتراصّةٍ معزولةٍ عن بعضها بعضًا، ويأخذُ المِلفُّ شكلاً أسطوانيًّا.
• $B = \frac{\mu_0 I N}{l}$
• $\frac{N}{l} = n$
• $B = \mu_0 I n$
• ويحدد اتّجاه خطوط المجال المغناطيسيّ القطبُ الشماليّ للملفّ؛ فيكون شماليًّا في جهة خروج خطوط المجال وجنوبيًّا في جهة دخولها.
• ويبين الشكل (28/ب) خطوط المجال المغناطيسي الناشئ عن ملف حلقاته متراصة، وعندما تكون حَلَقات الملفّ اللولبيّ مُتراصّةً وطولُه أكبر بكثيرٍ من قطره؛ فإنّ المجال المغناطيسيّ داخله وبعيدًا عن طرفيه يكون منتظمًا.

القوّةُ المغناطيسيّةُ بين موصلين متوازيين

• $B_1 = \frac{\mu_0 I_1}{2\pi r}$
• $F_{12} = B_1 I_2 L$
• $F_{12} = \frac{\mu_0 I_1 I_2 L}{2\pi r}$
• $F_{21} = \frac{\mu_0 I_1 I_2 L}{2\pi r}$
• $\frac{F_B}{L} = \frac{\mu_0 I_1 I_2}{2\pi r}$